对比图
型号 IPI65R420CFDXKSA1 SPI11N60CFD SPI11N60CFDHKSA1
描述 Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPI65R420CFDXKSA1, 8.7 A, Vds=700 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装新的革命高电压技术，超低栅极电荷定期额定雪崩 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche ratedTO-262 N-CH 600V 11A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole - Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3-1
额定功率 83.3 W - -
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 83.3W (Tc) 125 W 125W (Tc)
漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 8.7A 11.0 A 11A
上升时间 7 ns 18 ns 18 ns
输入电容(Ciss) 870pF @100V(Vds) 1200pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds)
下降时间 8 ns 7 ns 7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 83.3W (Tc) 125000 mW 125W (Tc)
额定功率(Max) - 125 W -
长度 10.2 mm 10.2 mm -
宽度 4.5 mm 4.5 mm -
高度 9.45 mm 9.45 mm -
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3-1
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free