对比图
型号 BC239C ZTX651STZ PMBT5401,215
描述 放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN SiliconZTX651STZ 编带TO-236AB PNP 150V 0.3A
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-226-3 E-Line-3 SOT-23-3
频率 - 175 MHz -
额定电压(DC) 25.0 V 60.0 V -
额定电流 100 mA 2.00 A -
极性 - NPN PNP
耗散功率 350 mW 1 W 250 mW
增益频宽积 - 175 MHz -
击穿电压(集电极-发射极) 25 V 60 V 150 V
集电极最大允许电流 - 2A 0.3A
额定功率(Max) 350 mW 1 W 250 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 1500 mW 250 mW
最小电流放大倍数(hFE) 380 @2mA, 5V - 60 @10mA, 5V
长度 5.2 mm 4.77 mm -
宽度 4.19 mm 2.41 mm -
高度 5.33 mm 4.01 mm -
封装 TO-226-3 E-Line-3 SOT-23-3
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Obsolete
包装方式 Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 - EAR99 -