对比图
描述 ON SEMICONDUCTOR BD159G Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 350 V, 20 W, 500 mA, 30 hFE 新达林顿晶体管 60V 12A NPN塑料中功率NPN硅晶体管 Plastic Medium Power NPN Silicon Transistor
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Bourns J.W. Miller (伯恩斯) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-126-3 TO-220-3 TO-126-3
引脚数 3 - -
额定电压(DC) 350 V - 350 V
额定电流 500 mA - 500 mA
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 20 W - 20 W
击穿电压(集电极-发射极) 350 V 60 V 350 V
集电极最大允许电流 0.5A 12A 0.5A
最小电流放大倍数(hFE) 30 @50mA, 10V 750 @5A, 3V 30
最大电流放大倍数(hFE) - - 240
额定功率(Max) 20 W 2 W 20 W
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃
针脚数 3 - -
直流电流增益(hFE) 30 - -
耗散功率(Max) 20000 mW - -
长度 - - 7.74 mm
宽度 - - 2.66 mm
高度 - - 11.04 mm
封装 TO-126-3 TO-220-3 TO-126-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Obsolete Unknown
包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
最小包装 - - 500
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 - -