对比图
描述 高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVERMOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics### MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS L6387ED 驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 5.5V-17V电源, 650mA输出, 105ns延迟, SOIC-8
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 DIP-8 DIP-8 SOIC-8
频率 - 0.4 MHz 0.4 MHz
电源电压(DC) 17.0V (max) - 5.50V (min)
上升/下降时间 50ns, 30ns 50ns, 30ns 50ns, 30ns
输出接口数 2 2 2
针脚数 - 8 8
耗散功率 - 0.75 W 750 mW
上升时间 - 50 ns 50 ns
输出电流(Max) - - 0.65 A
下降时间 - 30 ns 30 ns
下降时间(Max) - 30 ns 30 ns
上升时间(Max) - 50 ns 50 ns
工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) - -45 ℃ -45 ℃
耗散功率(Max) - 750 mW 750 mW
电源电压(Max) - 17 V 17 V
电源电压(Min) - - 5.5 V
供电电流 220 mA - -
电源电压 17 V 17 V -
长度 - 10.92 mm 4.9 mm
宽度 - 6.6 mm 3.9 mm
高度 - 3.32 mm 1.25 mm
封装 DIP-8 DIP-8 SOIC-8
工作温度 -45℃ ~ 125℃ (TJ) -45℃ ~ 125℃ (TJ) -45℃ ~ 125℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99