对比图
型号 IRF8010SPBF STB80NF10T4 2SK3435-Z-AZ
描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 12Milliohms; ID 80A; D2Pak; PD 260W; VGS +/-20STMICROELECTRONICS STB80NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 VTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3Pin(2+Tab) TO-220 SMD
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Renesas Electronics (瑞萨电子)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220
耗散功率 260 W 300 W 1.5 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 60 V
上升时间 130 ns 80 ns 1200 ns
输入电容(Ciss) 3830pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 3200pF @10V(Vds)
下降时间 - 60 ns 350 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 300W (Tc) 1500 mW
额定电压(DC) 100 V 100 V -
额定电流 80.0 A 80.0 A -
漏源极电阻 15 mΩ 12 mΩ -
极性 N-Channel N-Channel -
产品系列 IRF8010S - -
阈值电压 4 V 3 V -
输入电容 3830pF @25V - -
漏源击穿电压 100 V 100 V -
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80.0 A -
额定功率(Max) 260 W 300 W -
针脚数 - 3 -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220
长度 10.67 mm 10.4 mm -
高度 4.83 mm 4.6 mm -
宽度 - 9.35 mm -
产品生命周期 Active Active End of Life
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -