对比图
描述 Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3Pin(2+Tab) D3PAKFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB52N20TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 52 A, 200 V, 0.041 ohm, 10 V, 5 V
数据手册 --
制造商 Microsemi (美高森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 2
封装 D3PAK-3 TO-263-3
针脚数 - 2
漏源极电阻 - 0.041 Ω
耗散功率 300 W 357 W
阈值电压 - 5 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V
上升时间 14 ns 175 ns
输入电容(Ciss) 4050pF @25V(Vds) 2900pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 357 W
下降时间 7 ns 29 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300000 mW 357 W
额定电压(DC) 200 V 200 V
额定电流 56.0 A 52.0 A
输入电容 4.86 nF 2.90 nF
栅电荷 195 nC 63.0 nC
连续漏极电流(Ids) 56.0 A 52.0 A
极性 - N-Channel
栅源击穿电压 - 200 V
长度 - 9.98 mm
宽度 - 10.16 mm
高度 - 4.572 mm
封装 D3PAK-3 TO-263-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99