对比图
描述 NPN型中功率硅晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTORNPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-39 TO-5 TO-46-3
引脚数 3 - 3
极性 - NPN -
击穿电压(集电极-发射极) - 60 V 80 V
集电极最大允许电流 - 0.5A -
耗散功率 - - 500 mW
最小电流放大倍数(hFE) - - 50 @500mA, 10V
额定功率(Max) - - 500 mW
工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃
耗散功率(Max) 1000 mW - 500 mW
封装 TO-39 TO-5 TO-46-3
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bag - Bulk
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 - -
材质 Silicon - Silicon
工作温度 - - -65℃ ~ 200℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99