MMBF170和MMBF170LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBF170 MMBF170LT1G VP2110K1-G

描述 ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET MMBF170, 500 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装ON SEMICONDUCTOR  MMBF170LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 V晶体管, MOSFET, P沟道, -120 mA, -100 V, 9 ohm, -10 V, -3.5 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 5 Ω 5 Ω 9 Ω

耗散功率 300 mW 225 mW 360 mW

阈值电压 2.1 V 3 V -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 100 V

输入电容(Ciss) 24pF @10V(Vds) 60pF @10V(Vds) 60pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 mW 225 mW 360 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 225mW (Ta) 360mW (Ta)

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 500 mA -

额定功率 - 0.225 W 0.36 W

极性 - N-Channel P-CH

输入电容 - 60 pF -

漏源击穿电压 - 60 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 500 mA 0.12A

上升时间 - - 5 ns

下降时间 - - 4 ns

长度 2.92 mm 3.04 mm 2.9 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 0.93 mm 0.94 mm 0.95 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 - NLR -

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