FQPF2N60C和STP3NK60ZFP

对比图

型号 FQPF2N60C STP3NK60ZFP 2SK3767

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF2N60C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 600 V, 4.7 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STP3NK60ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 VTOSHIBA 2SK3767 Power MOSFET, N Channel, 2A, 600V, 4.5Ω, 10V, 4V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝)

分类 中高压MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

漏源极电阻 4.7 Ω 3.3 Ω 4.5 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 23 W 20 W 25 W

阈值电压 4 V 3.75 V 4 V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 2.00 A 2.40 A 2.00 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

漏源击穿电压 600 V 600 V -

上升时间 25 ns 14 ns -

输入电容(Ciss) 235pF @25V(Vds) 311pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 23 W 20 W -

下降时间 28 ns 14 ns -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 23 W 20W (Tc) -

额定电压(DC) 600 V - -

额定电流 2.00 A - -

输入电容 235 pF - -

栅电荷 12.0 nC - -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

长度 10.16 mm 10.4 mm -

宽度 4.7 mm 4.6 mm -

高度 9.19 mm 16.4 mm -

产品生命周期 Active Active Not Recommended

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 NLR - -