UMH1N和UMH1N-TP

对比图

型号 UMH1N UMH1N-TP UMH1NTL

描述 通用（双数字晶体管） General purpose (dual digital transistors)SOT-363 NPN 50V 100mASmall Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon,

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Micro Commercial Components (美微科) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 6 -

封装 SOT-363 SOT-363 -

极性 NPN+NPN NPN -

耗散功率 - 150 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 0.1A 100mA -

最小电流放大倍数(hFE) - 56 @5mA, 5V -

额定功率(Max) - 150 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

增益带宽 - 250 MHz -

耗散功率(Max) - 150 mW -

封装 SOT-363 SOT-363 -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

最小包装 3000 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -