对比图
型号 BSH202 NTS2101PT1G SI2303CDS-T1-GE3
描述 NXP BSH202 晶体管, MOSFET, P沟道, -520 mA, -30 V, 0.63 ohm, -10 V, -1.9 VON SEMICONDUCTOR NTS2101PT1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.4 A, -8 V, 100 mohm, -4.5 V, -700 mVVISHAY SI2303CDS-T1-GE3. 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -2.7A
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23 SOT-323-3 SOT-23
额定电压(DC) - -8.00 V -
额定电流 - -1.40 A -
通道数 - 1 -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.63 Ω 0.1 Ω 0.158 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 417 mW 290 mW 2.3 W
阈值电压 - 700 mV -
漏源极电压(Vds) 30 V 8 V -30.0 V
漏源击穿电压 - 8 V -
栅源击穿电压 - ±8.00 V -
连续漏极电流(Ids) 0.52A 1.40 A -2.70 A
上升时间 - 15 ns 37 ns
输入电容(Ciss) - 640pF @8V(Vds) 155pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - 290 mW -
下降时间 - 18 ns 9 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 0.417 W 290mW (Ta) 1000 mW
长度 3 mm 2.2 mm 3.04 mm
宽度 1.4 mm 1.24 mm 1.4 mm
高度 1 mm 0.9 mm 1.02 mm
封装 SOT-23 SOT-323-3 SOT-23
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Active -
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 PB free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2016/06/20 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 EAR99