FQD7N10TF和FQD7N10TM

对比图

型号 FQD7N10TF FQD7N10TM FQD7N10

描述 MOSFETN沟道 100V 5.8A100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DPAK TO-252-3 DPAK

极性 N-CH N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 5.8A 5.8A 5.8A

耗散功率 2.5 W 2.5W (Ta), 25W (Tc) -

输入电容(Ciss) - 250pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 2.5 W -

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -

上升时间 24 ns - -

下降时间 19 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 DPAK TO-252-3 DPAK

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -