BLF6G10LS-200RN和BLF6G10LS-200,118

对比图

型号 BLF6G10LS-200RN BLF6G10LS-200,118 BLF6G10LS-200,112

描述 功率LDMOS晶体管 Power LDMOS transistorRF MOSFET Transistors LDMOS TNSIC BASESTATION FINAL SOT502B

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 - -

封装 SOT-502 SOT-502 SOT-502

输出功率 40 W 40 W 40 W

工作温度(Max) 225 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ 65 ℃ -

频率 - 871.5 MHz 871.5 MHz

额定电流 - 49 A -

漏源极电阻 - 60 mΩ -

漏源击穿电压 - 65 V -

增益 - 20.2 dB 20.2 dB

测试电流 - 1.4 A 1.4 A

额定电压 - 65 V 65 V

封装 SOT-502 SOT-502 SOT-502

长度 - 20.7 mm -

宽度 - 9.91 mm -

高度 - 4.72 mm -

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free