对比图
型号 NTD3817N-1G NTD4813NHT4G NTD4813N-1G
描述 34.5A,16V功率MOSFET40A,30V功率MOSFET40A,30V,N沟道MOSFET
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 - 3 -
封装 TO-251-3 TO-252-3 TO-251-3
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 1.2W (Ta), 25.9W (Tc) 1.94 W 1.94 W
漏源极电压(Vds) 16 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 10.8A 9.00 A, 40.0 A 9.00 A
输入电容(Ciss) 702pF @12V(Vds) 940pF @12V(Vds) 860pF @12V(Vds)
额定功率(Max) 1.2 W 1.27 W 1.27 W
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 1.2W (Ta), 25.9W (Tc) 1.27W (Ta), 35.3W (Tc) 1.27W (Ta), 35.3W (Tc)
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 13 mΩ
漏源击穿电压 - - 30 V
上升时间 - - 19.3 ns
下降时间 - - 19.3 ns
长度 - 6.73 mm 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm 2.38 mm
高度 - 2.38 mm 6.35 mm
封装 TO-251-3 TO-252-3 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Rail
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99