MT29F2G08ABAEAH4-IT:E和MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT29F2G08ABAEAH4-IT:E MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E

描述 闪存, SLC NAND, 2 Gbit, 256M x 8位, 并行, VFBGA, 63 引脚SLC NAND Flash Parallel 3.3V 2G-bit 256M x 8 63Pin VFBGA TrayIC FLASH 2GBIT 63VFBGA

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 Flash芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 63 63 63

封装 VFBGA-63 VFBGA-63 BGA-63

工作电压 3.30 V - 3.30 V

供电电流 35 mA - -

针脚数 63 - -

位数 8 8 -

存取时间 25 ns - -

内存容量 250000000 B - 250000000 B

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 2.7 V - -

封装 VFBGA-63 VFBGA-63 BGA-63

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free Lead Free 无铅

ECCN代码 3A991.b.1.a - -

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