IR2132SPBF和IR2132STRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IR2132SPBF IR2132STRPBF IR2132S

描述 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,三相,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3MOSFET DRVR 600V 0.5A 6Out Hi/Lo Side 3-Phase Brdg Inv 28Pin SOIC W

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器电源管理

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 28 28 28

封装 SOIC-28 SOIC-28 SOIC-28

电源电压(DC) 10.0V (min) - 20.0V (max)

上升/下降时间 80ns, 35ns 80ns, 35ns 80ns, 35ns

输出接口数 6 6 6

输出电压 10.20 V - -

输出电流 420 mA 500 mA -

通道数 3 - -

耗散功率 1600 mw 1600 mW 1600 mW

下降时间(Max) 55 ns 55 ns 55 ns

上升时间(Max) 125 ns 125 ns 125 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

耗散功率(Max) 1600 mW 1600 mW 1600 mW

电源电压 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V

电源电压(Max) 20 V 20 V -

电源电压(Min) 10 V 10 V -

产品系列 - - IR2132

针脚数 - 28 -

上升时间 - 125 ns -

下降时间 - 55 ns -

长度 18.1 mm 18.1 mm -

宽度 7.6 mm 7.6 mm -

高度 2.35 mm 2.35 mm -

封装 SOIC-28 SOIC-28 SOIC-28

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active End of Life

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - EAR99 -

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