IRL2505PBF和STP80NF55-08

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRL2505PBF STP80NF55-08 STP140NF55

描述 N沟道,55V,104A,80mΩ@10VSTMICROELECTRONICS  STP80NF55-08  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 VMOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 55.0 V 55.0 V 55.0 V

额定电流 104 A 80.0 A 80.0 A

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 0.013 Ω 0.008 Ω 0.008 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 200 W 300 W 300 W

阈值电压 - 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

漏源击穿电压 55 V 55.0 V 55 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 104 A 80.0 A 80.0 A

上升时间 160 ns 110 ns 150 ns

输入电容(Ciss) 5000pF @25V(Vds) 3850pF @25V(Vds) 5300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 200 W 300 W 300 W

下降时间 - 35 ns 45 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 300 W 300W (Tc)

通道数 1 - 1

产品系列 IRL2505 - -

输入电容 5000pF @25V - -

长度 10.54 mm 10.4 mm 10.4 mm

宽度 - 4.6 mm 4.6 mm

高度 15.24 mm 15.75 mm 15.75 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台