对比图
型号 SI7478DP-T1-E3 SI7478DP-T1-GE3
描述 VISHAY SI7478DP-T1-E3 场效应管, N通道, MOSFET, 60V, 20A, POWERPAK SOMOSFET 60V 20A 5.4W 7.5mohm @ 10V
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
引脚数 8 8
封装 PowerPAK SO PowerPAKSO-8
漏源极电阻 0.006 Ω 0.006 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 1.9 W 1.9 W
阈值电压 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 20.0 A 20.0 A
上升时间 20 ns 20 ns
下降时间 45 ns 45 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
针脚数 8 -
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 1900 mW -
长度 - 6.15 mm
宽度 - 5.15 mm
高度 1.04 mm 1.04 mm
封装 PowerPAK SO PowerPAKSO-8
工作温度 - -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 -