对比图
型号 BF1101WR BF1202WR,115 BF2030W
描述 BF1101WR n沟道双栅MOS-FETs 7V 30MA SOT343 代码 NC 低噪声增益控制放大器1 GHzTrans RF MOSFET N-CH 10V 0.03A 4Pin(3+Tab) CMPAK T/RBF2030W N沟道MOSFET 8V 10mA SOT-343/SC70-4 marking/标记 ND 射频切换
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)
分类 晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 4 4 -
封装 SOT-343 SOT-343 SOT-343
频率 - 400 MHz -
额定电流 - 30 mA -
极性 - N-Channel -
耗散功率 - 0.2 W -
漏源极电压(Vds) - 10 V -
连续漏极电流(Ids) - 30.0 mA -
增益 - 30.5 dB -
测试电流 - 12 mA -
耗散功率(Max) 200 mW 200 mW -
额定电压 - 10 V -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -65 ℃ - -
封装 SOT-343 SOT-343 SOT-343
产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free