对比图
型号 BUK7510-55AL BUK7515-100A,127 BUK7510-100B
描述 N沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FETTO-220AB N-CH 100V 75AMOS(场效应管)/BUK7510-100B 管装
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
极性 N-CH N-CH -
漏源极电压(Vds) 55 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 122A 75A -
耗散功率 - 300 W -
上升时间 - 85 ns -
输入电容(Ciss) - 6000pF @25V(Vds) 6773pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 300 W 300 W
下降时间 - 70 ns -
耗散功率(Max) - 300W (Tc) 300W (Tc)
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 110 A
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)