对比图
型号 BSC042N03LSGATMA1 FDMS7670 CSD16404Q5A
描述 INFINEON BSC042N03LSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 93 A, 30 V, 3.5 mohm, 10 V, 1 VPowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 PG-TDSON-8 Power-56 VSON-FET-8
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.0035 Ω 0.0029 Ω 0.0041 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 57 W 62 W 3 W
阈值电压 1 V 1.9 V 1.8 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 25 V
连续漏极电流(Ids) 93A 21A 81.0 A
上升时间 4.4 ns 6 ns 13.4 ns
输入电容(Ciss) 2600pF @15V(Vds) 4105pF @15V(Vds) 1220pF @12.5V(Vds)
额定功率(Max) - 2.5 W 3 W
下降时间 4 ns 5 ns 4.6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 57W (Tc) 62 W 3W (Ta)
额定功率 57 W - -
通道数 - - 1
长度 5.35 mm 5 mm -
宽度 6.1 mm 6 mm 4.9 mm
高度 1.1 mm 1.05 mm 1 mm
封装 PG-TDSON-8 Power-56 VSON-FET-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/06/15