IRFS4227PBF和IRFS4227TRLPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFS4227PBF IRFS4227TRLPBF IRF640SPBF

描述 INFINEON  IRFS4227PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 62 A, 200 V, 26 mohm, 10 V, 5 V200V,22mΩ,62A,N沟道功率MOSFETN 通道 MOSFET,200V 至 250V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3

额定功率 330 W 330 W -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.026 Ω 0.022 Ω 0.18 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 330 W 330 W 130 W

阈值电压 5 V 5 V 4 V

输入电容 4600 pF 4600 pF -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 62A 62A 18.0 A

上升时间 20 ns 20 ns 51 ns

输入电容(Ciss) 4600pF @25V(Vds) 4600pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 330 W 330 W -

下降时间 31 ns 31 ns 36 ns

工作温度(Max) 180 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 330W (Tc) 330W (Tc) 130 W

长度 10.67 mm 10.67 mm 10.67 mm

宽度 9.65 mm - 9.65 mm

高度 4.83 mm - 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3

工作温度 -40℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - - EAR99

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