FDMS7670和STL140N4LLF5

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDMS7670 STL140N4LLF5 STL65N3LLH5

描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STL65N3LLH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 9.5 A, 30 V, 4.8 mohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 Power-56 PowerFLAT-5x6-8 PowerVDFN-8

通道数 - 1 -

漏源极电阻 0.0029 Ω 0.0021 Ω 4.8 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 62 W 80 W 60 W

阈值电压 1.9 V 1 V 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 40 V 30 V

漏源击穿电压 - 40 V -

连续漏极电流(Ids) 21A 140A 9.50 A

上升时间 6 ns 29 ns 14.5 ns

输入电容(Ciss) 4105pF @15V(Vds) 5900pF @25V(Vds) 1500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 4 W 4 W

下降时间 5 ns 21 ns 4.5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 62 W 80W (Tc) 60W (Tc)

针脚数 8 - 8

长度 5 mm 4.75 mm 4.75 mm

宽度 6 mm 5.75 mm 5.75 mm

高度 1.05 mm 0.88 mm 0.88 mm

封装 Power-56 PowerFLAT-5x6-8 PowerVDFN-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台