对比图
型号 FDS6982AS STS8DNF3LL PHN203,518
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6982AS 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.3 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.9 VSTS8DNF3LL 系列 双 N 沟道 30 V 0.02 Ω 12.5 nC STripFET™ II Mosfet- SOIC-8MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT96-1
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
耗散功率 2 W 2 W 2 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
上升时间 7 ns 32 ns 6 ns
输入电容(Ciss) 610pF @10V(Vds) 800pF @25V(Vds) 560pF @20V(Vds)
额定功率(Max) 900 mW 1.6 W 2 W
下降时间 3 ns 11 ns 11 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW 2000 mW
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -
额定电流 8.60 A 8.00 A -
针脚数 8 - -
漏源极电阻 0.011 Ω 0.02 Ω -
极性 Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel -
阈值电压 1.9 V 1 V -
输入电容 1.25 nF - -
栅电荷 21.0 nC - -
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±16.0 V -
连续漏极电流(Ids) 6.30 A, 8.60 A 8.00 A -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 5 mm - -
宽度 3.99 mm - -
高度 1.5 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - -