BC858W和BC858W,135

对比图

型号 BC858W BC858W,135 BC858WT/R

描述 NXP  BC858W  晶体管 双极-射频, PNP, -30 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, 800 hFE 新SC-70 PNP 30V 0.1ASmall Signal Bipolar Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 - -

封装 SOT-323 SOT-323-3 -

针脚数 3 - -

极性 PNP PNP -

耗散功率 200 mW 200 mW -

直流电流增益(hFE) 800 - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

击穿电压(集电极-发射极) - 30 V -

集电极最大允许电流 - 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 125 @2mA, 5V -

最大电流放大倍数(hFE) - 125 @2mA, 5V -

额定功率(Max) - 200 mW -

耗散功率(Max) - 200 mW -

封装 SOT-323 SOT-323-3 -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

含铅标准 - Lead Free -

工作温度 - 150℃ (TJ) -