对比图
型号 NTD32N06LG NTD32N06LT4G NTD32N06LT4
描述 功率MOSFET 32安培, 60伏 Power MOSFET 32 Amps, 60 Volts32A,60V功率MOSFET功率MOSFET 32安培, 60伏特,逻辑电平( N沟道DPAK ) Power MOSFET 32 Amps, 60 Volts, Logic Level(N−Channel DPAK)
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252
引脚数 3 3 -
额定电压(DC) 60.0 V 24.0 V 60.0 V
额定电流 32.0 A 30.0 A 32.0 A
漏源极电阻 23.7 mΩ 23.7 mΩ 23.7 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 93.75 W 93.75 W 93.8 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60.0 V
漏源击穿电压 60 V 60.0 V 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 32.0 A 32.0 A 32.0 A
上升时间 221 ns 221 ns 221 ns
输入电容(Ciss) 1700pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds) -
下降时间 128 ns 128 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 1.5 W 1.5 W -
通道数 1 - -
输入电容 1.72 nF - -
栅电荷 60.0 nC - -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252
长度 6.73 mm 6.73 mm -
宽度 6.22 mm 6.22 mm -
高度 2.38 mm 2.38 mm -
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
ECCN代码 - EAR99 -