MMBT5087LT1G和MMBT5087LT3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT5087LT1G MMBT5087LT3G 2N5087RLRAG

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBT5087LT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -50 V, 40 MHz, 225 mW, -50 mA, 40 hFE低噪声晶体管 Low Noise TransistorON SEMICONDUCTOR  2N5087RLRAG  单晶体管 双极, PNP, -50 V, 40 MHz, 1.5 W, -50 mA, 250 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-92-3

频率 40 MHz 40 MHz 40 MHz

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -50.0 V

额定电流 -50.0 mA -50.0 mA -50.0 mA

针脚数 3 - 3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 225 mW 0.3 W 1.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 0.05A 0.05A 0.05A

最小电流放大倍数(hFE) 250 @100µA, 5V 250 @100µA, 5V 250 @100µA, 5V

额定功率(Max) 300 mW 300 mW 625 mW

直流电流增益(hFE) 40 - 250

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 625 mW

增益频宽积 - 40 MHz -

额定功率 300 mW - -

长度 3.04 mm 2.9 mm 5.2 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 4.19 mm

高度 1.01 mm 0.94 mm 5.33 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-92-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2016/06/20

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台