对比图
型号 MJD350T4 NJVMJD350T4G MJD350G
描述 Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/RDPAK PNP 300V 0.5AON SEMICONDUCTOR MJD350G 双极晶体管
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) -300 V - -300 V
额定电流 -500 mA - -500 mA
针脚数 - - 4
极性 Dual P-Channel PNP PNP, P-Channel
耗散功率 15.0 W 1.56 W 1.56 W
击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V 300 V
热阻 - - 8.33℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流 - 0.5A 0.5A
最小电流放大倍数(hFE) 30 @50mA, 10V 30 @50mA, 10V 30 @50mA, 10V
额定功率(Max) 1.56 W 1.56 W 1.56 W
直流电流增益(hFE) - - 240
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 1560 mW 1560 mW
最大电流放大倍数(hFE) - 240 -
长度 - - 6.73 mm
高度 - - 2.38 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - EAR99