FDS3590和SI4896DY-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS3590 SI4896DY-T1-E3 PHK12NQ10T,518

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS3590  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 80 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V单 N 沟道 80 V 0.0165 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8SO N-CH 100V 11.6A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

额定电压(DC) 80.0 V - -

额定电流 6.50 A - -

通道数 1 - -

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 0.032 Ω 0.0165 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 1.56 W 8.9 W

阈值电压 4 V 2 V -

输入电容 1.18 nF - -

栅电荷 25.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 80 V 80 V 100 V

漏源击穿电压 80.0 V 80.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 6.50 A 9.50 A 11.6 A

上升时间 8 ns 11 ns 21 ns

输入电容(Ciss) 1180pF @40V(Vds) - 1965pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 1.56 W -

下降时间 12 ns 31 ns 11 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 1560 mW 8.9W (Tc)

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 2500 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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