IDH12S60CAKSA1和SDT12S60

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDH12S60CAKSA1 SDT12S60 STTH12R06D

描述 INFINEON  IDH12S60CAKSA1  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 2G 600V系列, 单, 600 V, 12 A, 30 nC, TO-220碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide Schottky DiodeSTMICROELECTRONICS  STTH12R06D  快速/超快二极管, 单, 600 V, 30 A, 2.9 V, 45 ns, 100 A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2

额定电压(DC) - 600 V 600 V

额定电流 - 12.0 A 12.0 A

电容 - 450 pF -

输出电流 - ≤12.0 A ≤12.0 A

正向电压 1.7V @12A 1.7V @12A 2.9 V

极性 - Standard Standard

反向恢复时间 0 ns 0 ns 45 ns

正向电流 12 A 12 A 30 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 36 A 100 A

正向电压(Max) - 1.7V @12A 2.9 V

正向电流(Max) 12 A 12 A 12 A

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 115000 mW 88200 mW -

负载电流 - - 12 A

热阻 - - 1.7 ℃/W

工作结温 -55℃ ~ 175℃ - 175℃ (Max)

工作结温(Max) 175 ℃ - 175 ℃

耗散功率 115000 mW - -

长度 - 9.9 mm 10.4 mm

宽度 - 4.4 mm 4.6 mm

高度 9.45 mm 9.2 mm 9.3 mm

封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2

工作温度 - 55℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC Contains SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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