MMBT6429LT1和MMBT6429LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT6429LT1 MMBT6429LT1G MMBT3904K

描述 放大器晶体管( NPN硅) Amplifier Transistors(NPN Silicon)ON SEMICONDUCTOR  MMBT6429LT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 700 MHz, 225 mW, 200 mA, 500 hFENPN外延硅晶体管,通用晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor, General Purpose Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 50.0 V 45.0 V 40.0 V

额定电流 200 mA 200 mA 200 mA

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.3 W 225 mW 350 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 40 V

集电极最大允许电流 0.2A 0.2A 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 500 @100µA, 5V 500 100 @10mA, 1V

额定功率(Max) 225 mW 225 mW 350 mW

直流电流增益(hFE) - 500 30

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

频率 700 MHz 700 MHz -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW -

无卤素状态 - Halogen Free -

针脚数 - 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 2.9 mm 3.04 mm -

宽度 1.3 mm 1.3 mm -

高度 0.94 mm 1.01 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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