2N3485A和JAN2N3485A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N3485A JAN2N3485A JANTXV2N3485A

描述 PNP硅小信号晶体管 PNP SILICON SMALL SIGNAL TRANSISTORTO-46 PNP 60V 0.6ATO-46 PNP 60V 0.6A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-46-3 TO-206 TO-206

耗散功率 0.4 W - -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 10V 40 @150mA, 10V 40 @150mA, 10V

额定功率(Max) 400 mW 400 mW 400 mW

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 400 mW 400 mW 400 mW

极性 - PNP PNP

集电极最大允许电流 - 0.6A 0.6A

封装 TO-46-3 TO-206 TO-206

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bag Bag Bag

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准

ECCN代码 EAR99 - -

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