对比图
型号 STP14NF12FP STP6NK60ZFP SPA08N80C3
描述 N沟道120V - 0.16OHM - 14A - TO- 220 / TO- 220FP低栅极电荷的STripFET TM II功率MOSFET N-channel 120V - 0.16OHM - 14A - TO-220/TO-220FP Low gate charge STripFET TM II Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STP6NK60ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 600 V, 1.2 ohm, 10 V, 3.75 VINFINEON SPA08N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 650 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
耗散功率 25 W 30 W 40 W
漏源极电压(Vds) 120 V 600 V 800 V
上升时间 25 ns 14 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 460pF @25V(Vds) 905pF @25V(Vds) 1100pF @100V(Vds)
下降时间 8 ns 19 ns 7 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 25W (Tc) 30000 mW 40W (Tc)
额定电压(DC) - - 800 V
额定电流 - - 8.00 A
额定功率 - - 40 W
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 1.2 Ω 650 mΩ
极性 - N-Channel N-Channel
阈值电压 - 3.75 V 3 V
漏源击穿电压 - 600 V 800 V
连续漏极电流(Ids) - 6.00 A 8.00 A
额定功率(Max) - 30 W 40 W
长度 10.4 mm 10.4 mm 10.65 mm
宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.85 mm
高度 9.3 mm 9.3 mm 16.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99
香港进出口证 - NLR -