对比图
描述 INFINEON IPP60R250CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 0.22 ohm, 10 V, 3 VN 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-263-3
漏源极电阻 0.22 Ω 0.18 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 104 W 90 W
阈值电压 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 600 V 550 V
连续漏极电流(Ids) 12.0 A 16A
上升时间 17 ns 9.5 ns
输入电容(Ciss) 1200pF @100V(Vds) 1260pF @100V(Vds)
下降时间 12 ns 13 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 104 W 110W (Tc)
通道数 1 -
针脚数 3 -
额定功率(Max) 104 W -
长度 10.36 mm 10.75 mm
宽度 4.4 mm 10.4 mm
高度 9.45 mm 4.6 mm
封装 TO-220-3 TO-263-3
材质 - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17