对比图
型号 CSD23280F3 CSD23381F4 CSD23382F4
描述 CSD23280F3 12V P 沟道 FemtoFET™ MOSFETP 通道 FemtoFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments### MOSFET 晶体管，Texas Instruments-12V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.6x1.0、76mΩ 3-PICOSTAR 0 to 0
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3
极性 P-CH P-CH P-CH
耗散功率 0.5 W 500 mW 0.5 W
漏源极电压(Vds) 12 V 12 V 12 V
连续漏极电流(Ids) 1.8A 2.3A 3.5A
上升时间 4 ns 3.9 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 180pF @6V(Vds) 236pF @6V(Vds) 235pF @6V(Vds)
下降时间 8 ns 7 ns 41 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500 mW 500mW (Ta) 500mW (Ta)
通道数 - 1 -
阈值电压 - 950 mV -
封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3
长度 - 1 mm -
宽度 - 0.64 mm -
高度 - 0.35 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 正在供货 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - -