对比图
描述 VISHAY IRF9Z24PBF. 晶体管, MOSFET, P沟道, 9.7 A, -60 V, 280 mohm, -10 V, -4 VP 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220 TO-220-3
额定功率 60 W 68 W
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.28 Ω 0.1 Ω
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 60 W 56 W
漏源极电压(Vds) 60 V 55 V
连续漏极电流(Ids) -11.0 A 19A
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
输入电容 - 620 pF
上升时间 - 55 ns
输入电容(Ciss) - 620pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 68 W
下降时间 - 41 ns
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 68W (Tc)
额定电压(DC) - -
额定电流 - -
产品系列 - -
漏源击穿电压 - -
封装 TO-220 TO-220-3
长度 - 10.54 mm
宽度 - 4.69 mm
高度 - 8.77 mm
包装方式 Tube Tube
产品生命周期 - Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
REACH SVHC标准 - -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)