STB150NF55T4和STD18N55M5

对比图

型号 STB150NF55T4 STD18N55M5 IRLZ44ZSPBF

描述 STMICROELECTRONICS  STB150NF55T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STD18N55M5  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 VN沟道 55V 51A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3

额定电压(DC) 55.0 V - 55.0 V

额定电流 120 A - 51.0 A

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 300 W 90 W 80 W

产品系列 - - IRLZ44ZS

漏源极电压(Vds) 55 V 550 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 60.0 A 16A 51.0 A

上升时间 180 ns 9.5 ns 160 ns

输入电容(Ciss) 4400pF @25V(Vds) 1260pF @100V(Vds) 1620pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 90 W 80 W

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 5 mΩ 0.18 Ω -

阈值电压 4 V 4 V -

输入电容 4400 pF - -

漏源击穿电压 55 V 550 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

下降时间 80 ns 13 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300W (Tc) 110W (Tc) -

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3

长度 10.4 mm 6.6 mm -

宽度 9.35 mm 6.2 mm -

高度 4.6 mm 2.4 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

材质 - Silicon -

ECCN代码 EAR99 - -