对比图
型号 FDS7066N3 SI4164DY-T1-GE3 FDS6699S
描述 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFETMOSFET, N-CH, VDS 30V; RDS(ON) 0.0026Ω; ID 30A; SO-8; PD 6W; VGS +/-20VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6699S 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 3.6 mohm, 10 V, 1.4 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
漏源极电阻 4.40 mΩ 0.0039 Ω 3.6 mΩ
耗散功率 3W (Ta) 6 W 2.5 mW
输入电容 4.97 nF 3545pF @15V 3.61 nF
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
输入电容(Ciss) 4973pF @15V(Vds) 3545pF @15V(Vds) 3610pF @15V(Vds)
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3W (Ta) 3W (Ta), 6W (Tc) 2.5W (Ta)
额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V
额定电流 23.0 A - 21.0 A
通道数 - - 1
针脚数 - - 8
极性 N-Channel - N-Channel
阈值电压 - - 1.4 V
栅电荷 43.0 nC - 65.0 nC
漏源击穿电压 30.0 V - 30 V
栅源击穿电压 ±16.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 23.0 A - 21.0 A
上升时间 8.00 ns - 12 ns
额定功率(Max) 1.7 W - 1 W
下降时间 - - 38 ns
长度 - 5 mm 5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
宽度 - - 4 mm
高度 - - 1.5 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - EAR99