MBT6429DW1T1和MBT6429DW1T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MBT6429DW1T1 MBT6429DW1T1G

描述 MBT6429DW1T1 NPN+NPN复合三极管 55V 200mA 700MHZ HEF=500~1250 SOT-363/SC-88 标记1T 用于开关/数字电路NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6

封装 TSSOP-6 SC-70-6

频率 - 700 MHz

额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V

额定电流 200 mA 200 mA

针脚数 - 6

极性 NPN NPN

耗散功率 - 150 mW

增益频宽积 - 700 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.2A 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 500 @100µA, 5V 500 @100µA, 5V

额定功率(Max) 150 mW 150 mW

直流电流增益(hFE) - 500

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 150 mW

长度 - 2.2 mm

宽度 - 1.35 mm

高度 - 1 mm

封装 TSSOP-6 SC-70-6

材质 - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99

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