FDR4420A和FDS4410

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDR4420A FDS4410 FDS4897AC

描述 单N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET单N沟道逻辑电平PWM优化PowerTrenchTM MOSFET Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrenchTM MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4897AC  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.1 A, 40 V, 0.02 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 SMD-8 SOIC-8 SOIC-8

通道数 - - 2

针脚数 - - 8

漏源极电阻 9.00 mΩ 9.80 mΩ 0.02 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel, P-Channel

耗散功率 1.8W (Ta) 2.5 W 2 W

阈值电压 - - 2 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 40 V

漏源击穿电压 -100 V 30.0 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 11.0 A 10.0 A 6.1A/5.2A

输入电容(Ciss) 2560pF @15V(Vds) 1340pF @15V(Vds) 1055pF @20V(Vds)

额定功率(Max) - 1 W 900 mW

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) 1.8W (Ta) 2.5W (Ta) 1.6 W

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 11.0 A 10.0 A -

输入电容 2.56 nF 1.34 nF -

栅电荷 23.0 nC 22.0 nC -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

上升时间 15.0 ns 13.0 ns -

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.9 mm

高度 - - 1.575 mm

封装 SMD-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - -

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