对比图
型号 IRF3808SPBF IRFS3207ZPBF IRF3808STRLPBF
描述 INFINEON IRF3808SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 106 A, 75 V, 7 mohm, 10 V, 4 VINFINEON IRFS3207ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 75 V, 0.0033 ohm, 10 V, 4 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.007 Ω 0.0033 Ω 0.0059 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 200 W 300 W 200 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V
连续漏极电流(Ids) 106A 170A 106A
上升时间 140 ns 68 ns 140 ns
输入电容(Ciss) 5310pF @25V(Vds) 6920pF @50V(Vds) 5310pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 200 W 300 W 200 W
下降时间 120 ns 68 ns 120 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 200W (Tc) 300W (Tc) 200W (Tc)
额定功率 200 W 300 W -
通道数 - 1 -
长度 10.67 mm - 10.67 mm
宽度 11.43 mm 9.25 mm 11.3 mm
高度 4.83 mm - 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -