对比图
型号 IPW60R165CP STP25NM60ND STI25NM60ND
描述 Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFETN 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道600 V ， 0.13 Ω ，21是FDmesh ？二功率MOSFET D2PAK ， I2PAK ，TO- 220FP ，TO- 220，TO- 247 N-channel 600 V, 0.13 Ω, 21 A FDmesh™ II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-262-3
引脚数 3 3 -
通道数 1 - 1
漏源极电阻 0.15 Ω 0.13 Ω 160 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 192 W 160 W 160 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 - - 600 V
连续漏极电流(Ids) 21.0 A - 21A
上升时间 - 30 ns 30 ns
输入电容(Ciss) 2000pF @100V(Vds) 2400pF @50V(Vds) 2400pF @50V(Vds)
下降时间 5 ns 40 ns 40 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃
耗散功率(Max) 192W (Tc) 160W (Tc) 160W (Tc)
额定电压(DC) 600 V - -
额定电流 21.0 A - -
针脚数 3 3 -
阈值电压 3 V 4 V -
输入电容 2.00 nF - -
栅电荷 52.0 nC - -
额定功率(Max) 192 W 160 W -
长度 16.13 mm 10.4 mm 10 mm
宽度 5.21 mm 4.6 mm 4.4 mm
高度 21.1 mm 15.75 mm 8.95 mm
封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
香港进出口证 NLR NLR -