BSP31,115和NSS60600MZ4T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP31,115 NSS60600MZ4T1G BC807-40,215

描述 NXP  BSP31,115  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 100 MHz, 1.3 W, -1 A, 100 hFEON SEMICONDUCTOR  NSS60600MZ4T1G  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 100 MHz, 2 W, -6 A, 150 hFENXP  BC807-40,215  单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 80 MHz, 250 mW, -500 mA, 250 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 3

封装 TO-261-4 TO-261-4 SOT-23-3

频率 100 MHz 100 MHz 80 MHz

无卤素状态 - Halogen Free -

针脚数 4 4 3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 1.3 W 2 W 250 mW

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 45 V

集电极最大允许电流 1A 6A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @100mA, 5V 120 @1A, 2V 250 @100mA, 1V

额定功率(Max) 1.3 W 800 mW 250 mW

直流电流增益(hFE) 100 70 250

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 2000 mW 0.25 W

最大电流放大倍数(hFE) - - 250 @100mA, 1V

长度 - 6.7 mm 3 mm

宽度 - 3.7 mm 1.4 mm

高度 - 1.65 mm 1 mm

封装 TO-261-4 TO-261-4 SOT-23-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2016/06/20 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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