FDB86135和IPB038N12N3GATMA1

对比图

型号 FDB86135 IPB038N12N3GATMA1

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB86135  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.003 ohm, 10 V, 2 VInfineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB038N12N3GATMA1, 120 A, Vds=120 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3

通道数 1 -

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.003 Ω 0.0032 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 227 W 300 W

阈值电压 2 V 3 V

漏源极电压(Vds) 100 V 120 V

漏源击穿电压 100 V -

连续漏极电流(Ids) 176A 120A

输入电容(Ciss) 7295pF @25V(Vds) 10400pF @60V(Vds)

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.4W (Ta), 227W (Tc) 300 W

额定功率 - 300 W

上升时间 - 52 ns

下降时间 - 21 ns

长度 10.67 mm 10.31 mm

宽度 9.65 mm 9.45 mm

高度 4.83 mm 4.57 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17