对比图
型号 FDB8030L STB80NF03L-04T4 IPB034N03LGATMA1
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB8030L 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0031 ohm, 10 V, 1.5 VN沟道30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFETINFINEON IPB034N03LGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 2.8 mohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -
额定电流 80.0 A 80.0 A -
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.0031 Ω 4.00 mΩ 0.0028 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 187 W 300 W 94 W
阈值电压 1.5 V - 1 V
输入电容 10.5 nF 5500 pF -
栅电荷 120 nC - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80.0 A 80A
上升时间 185 ns 270 ns 6.4 ns
输入电容(Ciss) 10500pF @15V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 4000pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 187 W 300 W -
下降时间 200 ns 95 ns 5.4 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 187W (Tc) 300W (Tc) 94 W
通道数 - 1 -
额定功率 - - 94 W
长度 10.97 mm - 10.31 mm
宽度 9.65 mm 9.35 mm 9.45 mm
高度 4.83 mm - 4.57 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263
工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) -60℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -