对比图
型号 STB20NK50Z STB20NK50ZT4 STB21NK50Z
描述 N沟道500V -0.23 OHM - 17A TO- 220 / D2PAK / I2SPAK / TO- 247 N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247N沟道500V -0.23 OHM - 17A TO- 220 / D2PAK / I2SPAK / TO- 247 N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247STMICROELECTRONICS STB21NK50Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 D2PAK TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) - 500 V -
额定电流 - 17.0 A -
漏源极电阻 - 0.23 Ω 0.23 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 - 190 W 190 W
阈值电压 - 3.75 V 3.75 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 - 500 V -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 17A 17.0 A -
上升时间 - 20 ns 20 ns
输入电容(Ciss) - 2600pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 190 W 190 W
下降时间 - 15 ns 15 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 190W (Tc) 190W (Tc)
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
封装 D2PAK TO-263-3 TO-263-3
长度 - - 10.4 mm
宽度 - - 9.35 mm
高度 - - 4.6 mm
工作温度 - 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete Active
包装方式 - Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/06/16
REACH SVHC标准 - - No SVHC