对比图
型号 STP140NF75 STP55NF06 IRFB3307ZGPBF
描述 STMICROELECTRONICS STP140NF75 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 7.5 mohm, 10 V, 4 VMOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 沟道 75 V 230 W 79 nC 功率 MosFet 法兰安装 - TO-220AB-3
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 75.0 V 60.0 V -
额定电流 120 A 50.0 A -
额定功率 - 110 W -
通道数 - 1 -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.0075 Ω 0.015 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 310 W 30 W 230W (Tc)
阈值电压 4 V 3 V -
漏源极电压(Vds) 75 V 60 V 75 V
漏源击穿电压 75.0 V 60.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 120 A 50.0 A 120A
上升时间 140 ns 50 ns 64 ns
输入电容(Ciss) 5000pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 4750pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 310 W 110 W -
下降时间 90 ns 15 ns 65 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 310W (Tc) 110W (Tc) 230W (Tc)
输入电容 5000 pF - -
长度 10.4 mm 10.4 mm -
宽度 4.6 mm 4.6 mm -
高度 9.15 mm 9.15 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2014/06/16 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - -