FQD1N50TF和FQD1N50TM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD1N50TF FQD1N50TM FQD1N50

描述 Trans MOSFET N-CH 500V 1.1A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RN沟道 500V 1.1A500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 DPAK

额定电压(DC) 500 V 500 V -

额定电流 1.10 A 1.10 A -

通道数 1 - -

漏源极电阻 9 Ω 9.00 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 2.5 W 2.5 W -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 500 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 1.10 A 1.10 A 1.1A

上升时间 25 ns 25 ns -

输入电容(Ciss) 150pF @25V(Vds) 150pF @25V(Vds) -

下降时间 20 ns 20 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) -

额定功率(Max) - 2.5 W -

长度 6.73 mm 6.73 mm -

宽度 6.22 mm 6.22 mm -

高度 2.39 mm 2.39 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 DPAK

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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