RUC002N05T116和RUE002N05TL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RUC002N05T116 RUE002N05TL BSS138LT3G

描述 N 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM SemiconductorEMT N-CH 50V 0.2AON SEMICONDUCTOR  BSS138LT3G.  场效应管, MOSFET, N沟道, 50V, 200mA SOT-23, 整卷

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-416-3 SOT-23-3

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 0.2 W 0.15 W 225 mW

漏源极电压(Vds) 50 V 50 V 50 V

连续漏极电流(Ids) 0.2A 0.2A 200 mA

上升时间 6 ns 6 ns -

输入电容(Ciss) 25pF @10V(Vds) 25pF @10V(Vds) 50pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 200 mW 150 mW 225 mW

下降时间 55 ns 55 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200mW (Ta) 150mW (Ta) 225 mW

额定电压(DC) - - 50.0 V

额定电流 - - 200 mA

无卤素状态 - - Halogen Free

通道数 - - 1

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 1.6 Ω - 5.6 Ω

阈值电压 - - 500 mV

输入电容 - - 50.0 pF

漏源击穿电压 - - 50.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

封装 SOT-23-3 SOT-416-3 SOT-23-3

长度 3.1 mm - 2.9 mm

宽度 1.5 mm - 1.3 mm

高度 1.15 mm - 0.94 mm

材质 Silicon Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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