IPB080N03LG和IPB147N03LGATMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB080N03LG IPB147N03LGATMA1 IPB080N03LGATMA1

描述 的OptiMOS ™ 3功率三极管 OptiMOS?3 Power-TransistorD2PAK N-CH 30V 20AD2PAK N-CH 30V 50A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-2 TO-263-2 TO-263-3

额定功率 - - 47 W

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 0.0067 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 47.0 W 31W (Tc) 47 W

阈值电压 - - 1 V

漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) - 20A 50A

输入电容(Ciss) - 1000pF @15V(Vds) 1900pF @15V(Vds)

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

耗散功率(Max) - 31W (Tc) 47W (Tc)

上升时间 3.6 ns 2.4 ns -

下降时间 2.8 ns 2 ns -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

长度 - - 10 mm

宽度 - - 9.25 mm

高度 - - 4.4 mm

封装 TO-263-2 TO-263-2 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台